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　　英偉達，引爆了一只港股！

　　8月1日，港股英諾賽科股價突然放量拉升，盤中漲幅一度超過60% ，市值最高突破640億港元。截至收盤，英諾賽科股價漲幅收窄至30.91%

　　消息面上，近日，英偉達（NVIDIA）官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，中國氮化鎵龍頭企業(yè)——英諾賽科成為其芯片供應商。有業(yè)內(nèi)人士指出，這意味著英偉達和英諾賽科正式達成深度合作。8月1日晚間，英諾賽科證實，公司已于近日與英偉達達成合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；涞?。

　　值得關(guān)注的是，今年5月份，美國的氮化鎵（GaN）功率芯片企業(yè)納微半導體宣布與英偉達就下一代800V高壓直流供電架構(gòu)展開合作的消息傳開后，股價上漲超280% 。

　　放量大漲

　　8月1日盤中，港股英諾賽科直線拉升，股價最高觸及72港元/股，漲幅一度達到63.64%。截至收盤，股價上漲30.91%報57.6港元/股，總市值為515億港元。英諾賽科全天成交額超過42億港元，較前一個交易日放量超1800% 。

　　近日，英偉達（NVIDIA）官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，英諾賽科入選為芯片供應商，雙方將攜手推動800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?。據(jù)了解，英偉達上述項目的芯片供應商還包括：ADI公司、英飛凌、MPS、納微半導體、安森美、瑞薩電子、羅姆半導體、意法半導體、德州儀器。

　　據(jù)英偉達官網(wǎng)介紹，AI工作負載的指數(shù)級增長，正在增加數(shù)據(jù)中心的功率需求。傳統(tǒng)的54V機架內(nèi)配電專為千瓦（KW）-scale機架設(shè)計，無法支持即將進入現(xiàn)代AI工廠的兆瓦（MW）-scale機架。從2027年開始，英偉達將率先向800V HVDC數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施過渡，以支持1MW及以上的IT機架。英偉達正在與數(shù)據(jù)中心能源生態(tài)系統(tǒng)合作，研究實現(xiàn)這一概念所需的創(chuàng)新和變革。

　　8月1日晚間，英諾賽科在港交所公告稱，公司已于近日與全球AI技術(shù)領(lǐng)導者NVIDIA（英偉達）達成合作，聯(lián)合推動800 VDC（800伏直流）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化落地。該架構(gòu)是英偉達針對未來高效供電兆瓦級計算基礎(chǔ)設(shè)施而專門設(shè)計的新一代電源系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)54V電源，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。

　　英諾賽科表示，公司的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800 VDC架構(gòu)提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。隨著GaN技術(shù)與英偉達800 VDC供電架構(gòu)的融合，未來幾年，AI數(shù)據(jù)中心將實現(xiàn)從千瓦級到兆瓦級的飛躍，開啟更高效、更可靠、更環(huán)保的AI計算時代。

　　值得關(guān)注的是，當?shù)貢r間7月29日，半導體巨頭安森美也對外宣布，公司與英偉達達成合作，加速下一代AI數(shù)據(jù)中心向800V直流電源解決方案的過渡。據(jù)悉，這一轉(zhuǎn)型的核心是一種新型的配電系統(tǒng) ，必須在每次電壓轉(zhuǎn)換中以最小損耗輸送大量電力。安森美表示，其智能電源解決方案是為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供電力供給的最關(guān)鍵一環(huán)，可在每個階段實現(xiàn)高效率、高功率密度的電能轉(zhuǎn)換。

　　此前5月21日，美國功率器件大廠納微半導體宣布，與英偉達就其下一代800V高壓直流供電架構(gòu)展開合作，以支持為其GPU（例如 Rubin Ultra）供電的“Kyber ”機架級系統(tǒng)。據(jù)悉，納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術(shù)將在這一合作中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

　　受上述消息影響，5月22日，納微半導體的股價暴漲164%，為該公司史上最大單日漲幅。隨后兩個月，納微半導體的股價繼續(xù)震蕩攀升，最新股價報7.33美元/股，較合作消息披露前上漲超280%。

　　有何來頭？

　　公開資料顯示，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。2024年12月30日，英諾賽科在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

　　據(jù)了解，英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產(chǎn)品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

　　今年4月份，英諾賽科披露產(chǎn)品開發(fā)進展稱，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。該款產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。經(jīng)公司客戶驗證，該產(chǎn)品已在中大功率電源方面實現(xiàn)量產(chǎn) ，下一步將被應用在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

　　7月29日，英諾賽科披露，公司與聯(lián)合汽車電子（聯(lián)合電子）宣布成立聯(lián)合實驗室，利用GaN技術(shù)在尺寸、重量和效率方面的優(yōu)勢，開發(fā)先進的新能源汽車電力電子系統(tǒng) 。據(jù)介紹，得益于GaN技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅基功率器件的優(yōu)勢，GaN功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、人工智能及數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域應用廣泛。與傳統(tǒng)硅相比，采用GaN的轉(zhuǎn)換器和逆變器功率損耗可降低高達10倍，顯著提升了效率、功率密度并降低系統(tǒng)成本，實現(xiàn)體積更小、重量更輕的優(yōu)勢，并減少二氧化碳排放。

　　財報數(shù)據(jù)顯示，2024年，英諾賽科的銷售收入為8.29億元，同比增長39.8%，主要是由于市場需求推動產(chǎn)品銷售額增加。其中，海外銷售收入1.26億元，同比增長118.1%。2024年，公司凈利虧損10.46億元，上年同期虧損11.02億元。

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