碳化硅成為芯片散熱新路線 。
日前 ,華為公布兩項(xiàng)專(zhuān)利,均涉及碳化硅散熱,包括《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》 ,兩項(xiàng)專(zhuān)利均用碳化硅做填料,提高電子設(shè)備的導(dǎo)熱能力。其中,前者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件的散熱和封裝芯片(基板、散熱蓋) ,后者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件 、電路板。
(圖片來(lái)源:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局)
無(wú)獨(dú)有偶,此前有媒體爆料稱(chēng),英偉達(dá)在其新一代Rubin處理器設(shè)計(jì)中 ,將CoWoS先進(jìn)封裝的中間基板材料從硅更換為碳化硅,以提升散熱性能,并預(yù)計(jì)2027年開(kāi)始大規(guī)模采用 。
碳化硅導(dǎo)熱能力強(qiáng)大
碳化硅材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,僅次于金剛石。公開(kāi)資料顯示 ,碳化硅熱導(dǎo)率達(dá)500W/mK,相比之下,硅的熱導(dǎo)率僅為約150W/mK ,陶瓷基板熱導(dǎo)率約200W/mK~230W/mK。此外,碳化硅熱膨脹系數(shù)與芯片材料高度契合,既能高效散熱 ,又能保障封裝穩(wěn)定性 。
隨著AI芯片功率持續(xù)提升,散熱難題擺在各大科技公司面前。英偉達(dá)GPU芯片功率從H200的700W提高到B300的1400W,而CoWoS封裝技術(shù)又將多個(gè)芯片(如處理器、存儲(chǔ)器等)高密度地堆疊集成在一個(gè)封裝內(nèi) ,顯著縮小了封裝面積,這對(duì)芯片封裝散熱提出更高要求。
中介層的散熱能力成為AI芯片瓶頸,Rubin系列芯片中 ,集成HBM4的多芯片產(chǎn)品功率已經(jīng)接近2000W 。
東方證券指出,中介層是CoWoS封裝平臺(tái)的核心部件之一,目前主要由硅材料制作。隨著英偉達(dá)GPU芯片的功率越來(lái)越大,將眾多芯片集成到硅中介層將導(dǎo)致更高的散熱性能要求 ,而如果采用導(dǎo)熱率更好的碳化硅中介層,其散熱片尺寸有望大幅縮小,優(yōu)化整體封裝尺寸。
數(shù)據(jù)顯示 ,采用碳化硅中介層后,可使GPU芯片的結(jié)溫降低20℃~30℃,散熱成本降低30% ,有效防止芯片因過(guò)熱降頻,保證芯片的算力穩(wěn)定輸出。因此,碳化硅有望成為解決高功率芯片散熱瓶頸的理想材料 。
碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域從電力電子擴(kuò)展到封裝散熱 ,打開(kāi)了市場(chǎng)增量空間。東吳證券測(cè)算,以當(dāng)前英偉達(dá)H100 3倍光罩的2500mm²中介層為例,假設(shè)12英寸碳化硅晶圓可生產(chǎn)21個(gè)3倍光罩尺寸的中介層 ,2024年出貨的160萬(wàn)張H100若未來(lái)替換成碳化硅中介層,則對(duì)應(yīng)76190張襯底需求。
概念股大幅上漲
A股市場(chǎng)方面,由于英偉達(dá)切入碳化硅散熱領(lǐng)域,相關(guān)概念股9月以來(lái)大幅上漲 ,其中,露笑科技、天岳先進(jìn)9月以來(lái)漲幅均超過(guò)30%,晶盛機(jī)電 、天通股份漲幅均超過(guò)20% ,天富能源、英唐智控漲幅均超10% 。
碳化硅散熱成為市場(chǎng)熱點(diǎn),近期多家公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)就散熱領(lǐng)域布局做出回應(yīng)。
天岳先進(jìn)表示,公司在前瞻性技術(shù)創(chuàng)新上繼續(xù)布局 ,除供應(yīng)應(yīng)用于功率器件、射頻器件的碳化硅襯底材料外,公司還廣泛布局了光波導(dǎo) 、TF-SAW濾波器、散熱部件等新興領(lǐng)域的碳化硅產(chǎn)品及技術(shù)。
三安光電表示,公司持續(xù)推進(jìn)碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應(yīng)用 ,熱沉散熱用碳化硅材料早已開(kāi)始研發(fā),目前處于送樣階段 。
據(jù)證券時(shí)報(bào)·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì),今年以來(lái) ,多只碳化硅概念股獲得投資者頻繁調(diào)研,其中晶盛機(jī)電 、時(shí)代電氣、瑞納智能獲得6次調(diào)研。
晶盛機(jī)電在近期的調(diào)研中表示,公司已實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)突破,成功長(zhǎng)出12英寸碳化硅晶體。
時(shí)代電氣在9月調(diào)研中表示 ,當(dāng)前公司已經(jīng)擁有一條6英寸碳化硅芯片產(chǎn)線,具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅芯片產(chǎn)能 。
據(jù)數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計(jì),9月以來(lái) ,多只碳化硅概念股獲融資資金加倉(cāng),通富微電、露笑科技、天岳先進(jìn) 、英唐智控、天通股份5股獲加倉(cāng)金額均超過(guò)3億元。
通富微電加倉(cāng)金額最高,達(dá)到7.01億元 ,最新融資余額為26.34億元。公司是國(guó)內(nèi)芯片封測(cè)龍頭之一,2023年公司配合意法半導(dǎo)體等行業(yè)龍頭,完成了碳化硅模塊自動(dòng)化產(chǎn)線的研發(fā)并實(shí)現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn) 。
露笑科技獲加倉(cāng)4.16億元 ,最新融資余額為13.27億元。公司碳化硅業(yè)務(wù)主要為6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片的生產(chǎn)、銷(xiāo)售。
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